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蚀刻相关全部专利大全

【定价:560 元】  2009-7-1 9:10:16       【
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1、介电层的蚀刻制程
2、用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻制程的方法
3、蚀刻方法
4、应用于约束等离子体反应室的半导体双镶嵌蚀刻制作过程
5、等离子体蚀刻气体
6、蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
7、利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
8、抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法
9、粗蚀刻硅太阳能电池的工艺
10、一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法
11、用电脑刻绘光固化技术蚀刻贝壳海螺的方法
12、用电脑刻绘光固化技术蚀刻玻璃的方法
13、基于激光器可转换波长的蚀刻电路板加工系统
14、蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法
15、腐蚀剂和具有用腐蚀剂蚀刻之铜线的阵列式基片
16、复印/传真/打印机铝型材配件化学纹理蚀刻的方法
17、低回损蚀刻衍射光栅波分复用器
18、一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
19、蚀刻液
20、形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法
21、用于无机表面的蚀刻糊
22、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
23、防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造
24、蚀刻的方法
25、包括聚酰亚胺层的叠层组件的蚀刻方法
26、用于半导体蚀刻室的内衬
27、湿法蚀刻剂组合物
28、形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法
29、利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
30、金属薄膜干蚀刻的后处理方法及蚀刻与去光阻的整合系统
31、蚀刻法及蚀刻液
32、利用磁组件蚀刻薄荫罩的方法
33、去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法
34、用于高锰酸盐蚀刻液电化学再生的阴极
35、制造电极的蚀刻方法
36、在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置
37、利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法
38、一种在使用下游等离子体的绝缘蚀刻器中的改进的抗蚀剂剥离
39、在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料
40、除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法
41、有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法
42、在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法
43、基于近红外分光计控制金属层蚀刻过程及再生用于金属层蚀刻过程的腐蚀剂的方法
44、增进介电抗反射涂布层的光阻蚀刻选择比的方法
45、沟道蚀刻薄膜晶体管
46、控制接触窗微距的蚀刻方法
47、蚀刻衍射光栅波分复用器
48、天然大理石彩色蚀刻画及其制作方法
49、蚀刻剂及蚀刻方法
50、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
51、降低氮化硅的湿蚀刻速率的方法
52、影像传感器单层导线架二次半蚀刻制备方法及其封装结构
53、利用微影蚀刻制程制作喷墨式打印头的喷孔片的方法
54、减少废气排放量的蚀刻方法
55、形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法
56、金属蚀刻画的制造方法
57、用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
58、解决与蚀刻沟道过程有关的光学边缘效应的器件与方法
59、用于有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中的蚀刻后由氢进行的光刻胶剥离
60、磁控管等离子体用磁场发生装置、使用该磁场发生装置的等离子体蚀刻装置和方法
61、相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构
62、有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻
63、可去除蚀刻制程后的残留聚合物及降低氧化物损失的方法
64、检测接触窗蚀刻结果的方法
65、喷蚀刻法
66、电路板碱性蚀刻废液的处理方法
67、蚀刻规版直接蚀刻工艺
68、玻璃钢表面蚀刻技术
69、带有蚀刻电极的等离子体寻址液晶显示器
70、利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
71、铜及铜合金的微蚀刻剂
72、用离子注入湿化学蚀刻使基底上的构图结构平面化的方法
73、化学蚀刻装置及方法
74、废蚀刻液重复使用的方法
75、用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置
76、再生碱性蚀刻补充液的制备方法及其装置系统
77、半导体器件制造工艺中的等离子体蚀刻法
78、采用蚀刻技术制作电容的方法
79、网印玻璃蚀刻(蒙砂)油墨
80、一种在大理石上影雕蚀刻图像的方法
81、对印刷电路原料板钻孔内塑料层的去涂及蚀刻工艺
82、含有环状氟化磺酸盐表面活性剂蚀刻溶液
83、高压铝阳极箔两步电化学蚀刻方法
84、高压铝阳极箔的两步电化学和化学蚀刻法
85、利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
86、在印刷电路板上蚀刻铜膜的方法
87、蚀刻玻璃及其制造方法
88、金属蚀刻版画
89、花岗石上蚀刻字画的化学溶解液及方法
90、滚筒(轮)钢模快速深度化学蚀刻
91、使用卤化物的铜蚀刻方法
92、铝板表面的化学蚀刻方法
93、大理石和玻璃上蚀刻字画的工艺
94、废蚀刻液中铜的回收方法
95、处理蚀刻剂的方法
96、玻璃表面蚀刻字画的方法
97、处理氯化铜蚀刻废液的方法和设备
98、大理石碑刻——蚀刻工艺
99、蚀刻圆筒形模板的方法和装置
100、电子移印机专用钢模凹版蚀刻液
101、一种具有高蚀刻性能的合金薄板
102、天然大理石快速保真蚀刻方法
103、玉石无毒蚀刻工艺
104、氨性蚀刻装置中加速蚀刻及沉积金属的方法
105、电解质电容器用的铝箔蚀刻方法
106、铜蚀刻液用添加剂
107、蚀刻闪光灯成象
108、用激光束蚀刻胶片时驱动和定位胶片的设备
109、蚀刻半导体片的方法和装置
110、具有激光蚀刻阻当功能的高密度结构及其设计方法
111、一种不锈钢快速深度电化学蚀刻方法
112、一种不锈钢超微精细蚀刻方法
113、使激光蚀刻表面上所形成的衍射槽纹最小化的方法
114、清除溴化物气蚀刻用真空处理室的方法
115、铝及铝合金表面精细蚀刻技术
116、铜及铜合金表面精细蚀刻技术
117、在宝石上蚀刻铭文的方法
118、在花岗岩材质上影雕蚀刻图像的方法
119、干式蚀刻器中残留气体的去除装置及去除方法
120、使传感器间距最佳化的浅蚀刻空气轴承表面特征
121、盘驱动滑动触头的部分蚀刻的保护外敷层
122、阴罩的制造方法及其所用的耐蚀刻层涂敷装置
123、具有蚀刻玻璃隔离片的等离子体液晶显示器
124、在超声场的存在下用稀化学蚀刻剂控制二氧化硅蚀刻速率
125、制造蚀刻轧辊的方法和装置
126、玻璃镜面装饰图文空版蚀刻方法
127、一种等离子体蚀刻装置及其方法
128、在不锈钢管上形成蚀刻图案的方法
129、具有三个蚀刻深度的双蚀刻台阶垫空气轴承结构
130、化学蚀刻形成盲孔的多层电路板制法
131、一种径迹蚀刻膜防伪标志及其制造方法
132、光化学蚀刻制做金属照片技术
133、接触窗及接触窗蚀刻方法
134、金属板蚀刻书画工艺制品
135、在铝/铜金属线路上除去活性离子蚀刻后的聚合物
136、降低在蚀刻氮化物时产生微负载的方法
137、等离子体蚀刻系统
138、从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
139、硬蚀刻掩模
140、防蚀刻洗瓶溶液
141、金属立体蚀刻防护模板空心技术
142、蚀刻组合物及其用途
143、利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
144、三维蚀刻方法
145、氮化物材料的蚀刻方法
146、汽车玻璃防盗标识蚀刻剂
147、金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法
148、在掩膜二氧化硅上钻孔的等离子蚀刻方法
149、减少集成电路制造过程中侧壁堆积的金属蚀刻方法
150、用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法
151、用于进行平面化和凹入蚀刻的方法及装置
152、蚀刻方法
153、铝/铜金属连线上反应离子蚀刻后聚合物的清除方法
154、改善光刻胶耐蚀刻性的方法
155、手工蚀刻印刷工艺方法
156、蚀刻和清洗方法及所用的蚀刻和清洗设备
157、使用选择蚀刻技术形成超导器件的方法
158、单向性蚀刻的声表面波换能器
159、应用羧酸羟铵除去耐蚀膜和蚀刻残余物的组合物和方法
160、等离子体蚀刻设备和用这种设备制造的液晶显示模块
161、根据累积处理数目而采用不同蚀刻时间的蚀刻系统及方法
162、制造蚀刻高尔夫球棒零件的方法
163、铝合金表面化学纹理直接蚀刻的方法
164、具有蚀刻背面的磷硅酸盐玻璃层的全集成热喷墨打印头
165、可形成均匀蚀刻液膜的装置
166、尤其用于磁或磁光记录的磁蚀刻方法
167、用于去除抗光蚀剂和蚀刻残留物的含有氟化物的酸性组合物
168、含镍三氯化铁蚀刻废液再生和镍回收方法
169、敏射线树脂组合物及其改进其防干性蚀刻性能的方法
170、导电膜蚀刻剂及蚀刻方法
171、低污染、高密度等离子蚀刻腔体及其加工方法
172、敏射线树脂组合物及改进该组合物的防干蚀刻性能的方法
173、高尔夫球杆头部用击打板的化学蚀刻方法
174、蚀刻穿孔性优良的Fe-Ni合金荫罩用的原材料
175、蚀刻穿孔性能优良的铁镍合金荫罩半成品及其制造方法
176、半导体金属蚀刻工艺的方法
177、蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法
178、蚀刻溶液,蚀刻制品和制造蚀刻制品的方法
179、印制线路板碱性蚀刻铜废液处理方法
180、得自纤维素粘合剂的快速蚀刻、热固性抗反射涂料
181、蚀刻式单层及积层片状电感的制造方法
182、金属彩色蚀刻画及其生产方法
183、光敏树脂组合物、使用光敏树脂组合物的感光性元件、蚀刻图形的制法及印刷线路板的制法
184、蚀刻栅网的生产工艺
185、金属蚀刻装饰板及其制造方法
186、金属蚀刻装饰条及其制造方法
187、蚀刻液组合物
188、蚀刻液及挠性配线板的制造方法
189、用于有机蚀刻的侧壁钝化的方法和装置
190、气体喷射器以及包含该喷射器的蚀刻装置
191、用于蚀刻碳掺杂有机硅酸盐玻璃的方法和装置
192、改善蚀刻率均匀性的技术
193、碳素薄膜的蚀刻方法和蚀刻设备
194、带监控蚀刻剂成份的高精度传感器的自动蚀刻剂再生系统
195、阶段式蚀刻方法
196、一种在蚀刻过程中非破坏性测量侧向蚀刻宽度的方法
197、一种晶片边缘的蚀刻机及其蚀刻方法
198、光刻蚀刻制作工艺
199、蚀刻方法以及蚀刻液的定量分析方法
200、可减少金属蚀刻残留物的形成导电结构层的方法
201、以光学方法测量温度并监控蚀刻率的方法
202、一种用于金属层蚀刻的轮廓控制方法
203、高高宽比开口的蚀刻方法
204、用于旋转蚀刻平面化的组合物与方法
205、含镍三氯化铁蚀刻废液的除镍方法
206、基于多个子光栅的平顶型蚀刻衍射光栅波分复用器件
207、蚀刻方法与蚀刻装置
208、采用湿蚀刻的电子部件的制造方法
209、构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法
210、在双重镶嵌方法中的低介电常数的阻蚀刻层
211、金属蚀刻装饰条相框
212、金属蚀刻板条装饰门
213、电路板蚀刻机输送装置
214、电路板蚀刻机输送装置
215、电路板蚀刻机输送装置
216、两点聚焦实现通带平坦化的蚀刻衍射光栅波分复用器件
217、蚀刻衍射光栅波分复用器
218、金属披覆板的电浆蚀刻进度监测结构
219、蚀刻屏框的改良
220、电解扫描文字图案蚀刻装置
221、深度电解标志蚀刻头
222、带金属蚀刻板的工艺瓷(漆)盘
223、全指标自动控制印刷线路板蚀刻机
224、激光蚀刻机
225、蚀刻成型的金属箔画板
226、漏膜式电解蚀刻机
227、自动控制凹模印辊电蚀刻机
228、蚀刻规版
229、膜分离技术再生蚀刻液及无排放废液的电解蚀刻机
230、垂直式蚀刻机的PC板传动装置
231、便携式金属蚀刻机
232、一种蚀刻深度传感器
233、金属电蚀刻机
234、手表底盖蚀刻安置板
235、生产核径迹膜的连续蚀刻装置
236、金属蚀刻版画
237、蚀刻机摆动机构
238、印章蚀刻机
239、金属无酸蚀刻机
240、金属蚀刻版画
241、PC板竖直蚀刻机的板体传动装置
242、蚀刻玻璃防盗汽车及汽车玻璃蚀刻用具
243、金属蚀刻工艺画
244、IC导线架电路软板的整卷成型料带蚀刻及电镀前定位打孔机构
245、金属电蚀刻机
246、一种电子蚀刻机
247、蚀刻机台中的晶片推升装置
248、用于蚀刻工艺过程的晶片保护装置
249、中性电解液蚀刻机
250、有机电致发光显示面板铟锡氧化物电极的电化学蚀刻平坦化装置
251、旋转蚀刻机用的化学液回收的再生装置
252、金属蚀刻地图
253、电路板蚀刻机
254、全指标自动控制印刷线路板蚀刻机
255、蚀刻工艺装饰品
256、蚀刻工艺装饰品
257、电侵蚀刻模机
258、自动控制印刷线路板蚀刻机控制柜
259、蚀刻方法
260、一种金属蚀刻地图的设计制作工艺
261、蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比上的应用
262、含镍三氯化铁蚀刻废液的萃取分离方法
263、蚀刻液组合物
264、具有良好蚀刻加工性的荫罩用Fe-Ni合金材料
265、集成电路电感器结构以及非破坏性蚀刻深度测量
266、在衬底中的大高宽比部件的蚀刻
267、在表面用聚焦电子束诱导化学反应蚀刻表面材料的方法
268、多重蚀刻仿铸铜工艺及其产品
269、蚀刻沉积于半导体基底上的光阻层的方法
270、可溶于光致抗蚀剂显影液的有机底部抗反射组合物及使用该组合物的光刻和蚀刻方法
271、蚀刻后的形状良好的荫罩条材
272、等离子体蚀刻方法及装置
273、护垫蚀刻程序后去除氟化铝缺陷的方法
274、蚀刻设备组件的清洗方法
275、经过蚀刻的不锈钢板
276、绝缘膜的蚀刻方法
277、Si蚀刻方法及蚀刻装置
278、具有直立式洗净器的干蚀刻机台
279、控制蚀刻选择性的方法和装置
280、生产蚀刻光导纤维束的方法和改良的蚀刻光导纤维束
281、蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统
282、应用于制造流体轴承的蚀刻方法
283、湿蚀刻装置
284、多晶硅的蚀刻方法
285、介电层回蚀刻方法
286、蚀刻在玻璃基片类型的透明基片上沉积的层的方法
287、避免硅层蚀刻不均匀的方法
288、以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物
289、感应耦合等离子蚀刻机台及其电极结构
290、蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物制造反射板的方法
291、蚀刻液
292、用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法及系统
293、光致抗蚀剂蚀刻中前边界点技术
294、可湿式蚀刻的叠层体、绝缘薄膜及使用其的电子电路部件
295、注入有金属物质的蚀刻阻挡层的金属栅极叠层构造
296、用作气相反应器清洗、蚀刻及掺杂气体的全氟酮
297、蚀刻有机抗反射涂层(ARC)的方法
298、硅化钌湿法蚀刻
299、使用碳氢化合物添加剂来消除在蚀刻有机低K电介质期间的微掩蔽
300、以喷胶蚀刻芯片工艺制作电感器线圈的方法
301、用于蚀刻介质材料的方法
302、使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程
303、用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法
304、优良的碱蚀刻加工性及冲压加工性的聚酰亚胺膜
305、清洁气和蚀刻气
306、干蚀刻方法
307、蚀刻液组合物
308、电浆蚀刻方法
309、通过电化学蚀刻生产铌或钽成型物件的方法
310、一种蚀刻方法
311、使用单一光罩于多重蚀刻步骤的微影制程
312、低介电常数介电质层的蚀刻方法
313、用于蚀刻有机低K材料的特殊化学工艺
314、蚀刻用的高压无晶片自动清洗
315、干蚀刻方法
316、蚀刻液管理方法和蚀刻液管理装置
317、电浆蚀刻夹框的改良
318、用于相移掩模的嵌入式蚀刻阻止层
319、形成半导体镶嵌结构的蚀刻制程
320、防止阻挡层被过度蚀刻的方法与结构及其应用
321、相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法
322、用于控制掺碳氧化物薄膜的蚀刻偏差的方法
323、有机绝缘膜的蚀刻方法和双波纹处理方法
324、清除由形成通孔的处理所产生的蚀刻残余物的方法
325、减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法
326、银合金蚀刻液
327、金属层蚀刻制造过程腐蚀水洗预防法
328、于薄膜晶体管液晶显示器制造过程中的蚀刻方法
329、金属电浆蚀刻后的晶圆清洗方法
330、含镍三氯化铁蚀刻废液的再生方法
331、湿蚀刻装置
332、改善蚀刻中止层与金属层间的粘着性的工艺与结构
333、干式蚀刻装置及干式蚀刻方法
334、硅的各向异性湿式蚀刻
335、金属斜角蚀刻结构、源极/漏极与栅极结构及其制造方法
336、干蚀刻方法
337、干蚀刻方法
338、带有独立的等离子体密度/化学性质和离子能量控制的双频等离子体蚀刻反应器
339、在蚀刻处理后移除聚合物的方法
340、具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法
341、水性缓冲含氟蚀刻残渣去除剂和清洁剂
342、光导纤维和蚀刻的阵列波导管的对准
343、热塑性聚酰亚胺树脂用蚀刻液
344、用于显微机械加工晶体材料的蚀刻工艺和由此制造的装置
345、用于线路的蚀刻液、制造线路的方法和包括此方法的制造薄膜晶体管阵列板的方法
346、利用预蚀刻玻璃基材以降低事后释放时间的方法
347、液晶显示面板前段阵列制造工艺中第一道黄光暨蚀刻方法
348、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
349、可控制等离子体容积的蚀刻室
350、镂空蚀刻揭启检验模压全息防伪标识及其生产工艺
351、金属导线的蚀刻方法
352、使用非晶硅碳罩幕蚀刻铝层的方法
353、半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法
354、蚀刻方法和用于形成蚀刻保护层的组合物
355、具有连续沉积和蚀刻的电离PVD
356、用于确定实时蚀刻速率的浅角干涉工艺及装置
357、银合金蚀刻液
358、含镍三氯化铁蚀刻废液的再生方法
359、薄膜晶体管面板制造方法、蚀刻槽清洗方法及强碱用途
360、湿蚀刻装置
361、铜或铜合金的蚀刻溶液以及使用该溶液的电子基板的制法
362、电解式掩膜铬膜的蚀刻制程方法
363、用于干蚀刻反应室的压力计感应器的缓冲器
364、用于蚀刻设置于绝缘板上的薄导电层的方法和设备
365、改进蚀刻率均一性的设备和方法
366、蚀刻剂、补充液以及用它们制造铜布线的方法
367、半导体蚀刻速度改进
368、半导体器件制造方法和蚀刻系统
369、在基底蚀刻制程中的干涉终点侦测
370、蚀刻中止层的重作方法
371、等离子体蚀刻方法和等离子体处理装置
372、蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置
373、不需要单独溶剂冲冼步骤的脱除侧壁聚合物和蚀刻剂残余物的组合物
374、基板的蚀刻处理方法及蚀刻处理装置
375、使用于双镶嵌蚀刻方法的双层金属硬屏蔽
376、蚀刻终止树脂
377、铝/钼层叠膜的蚀刻方法
378、蚀刻方法及使用蚀刻方法的电路装置的制造方法
379、等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法
380、等离子蚀刻机
381、蚀刻高长径比零件的方法
382、蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法
383、以可重复使用的屏蔽进行的玻璃蚀刻方法
384、用于显微机械加工晶体材料的蚀刻方法以及由此方法制备的器件
385、等离子体蚀刻方法
386、清洗保养旋转蚀刻机的方法
387、蚀刻制品,生产它的模板结构及该模板结构的生产方法
388、互连结构上溅射蚀刻之原位金属阻障沉积
389、等离子体蚀刻方法
390、蚀刻方法和记录用于控制该方法的程序的计算机记录媒体
391、在蚀刻处理中控制关键尺寸的方法
392、静电蚀刻方法及其装置
393、利用氧化线间隙壁与回蚀刻制造DRAM晶胞结构的方法
394、具有对氮化物肩部高度敏感性的自对准接触蚀刻
395、通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔
396、铜的各向同性蚀刻方法
397、CORAL膜片上蚀刻及剥离后残留物的脱除方法
398、控制蚀刻工序的精确度和再现性的方法
399、在用于光电子器件的III-V族化合物中蚀刻光滑侧壁的方法
400、蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法
401、在金属层蚀刻后移除光阻的方法
402、提供一种在电介质叠层具有蚀刻区域的有机垂直腔激光阵列装置
403、蚀刻期间保持STI的结构和方法
404、掩膜形成方法其形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法
405、蚀刻液、其补给液、使用其的蚀刻方法和布线基板的制法
406、用以避免条纹现象的蚀刻方法
407、多层膜的干湿结合蚀刻方法
408、在晶体管栅极结构上使用抗蚀刻衬里的方法和结构
409、用于选择性地蚀刻电介质层的工艺
410、用于监测—蚀刻工艺的方法与系统
411、一种无酸的金属蚀刻方法和它的蚀刻机
412、蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及半导体装置
413、选择性蚀刻掺杂碳的低介电常数材料的方法
414、用于布线的蚀刻剂、利用该蚀刻剂制造布线的方法、包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
415、用水基溶液蚀刻厚膜来制造PDP阻隔筋的方法和组合物
416、蚀刻方法及蚀刻装置
417、用于有机硅酸盐玻璃低K介质腐蚀应用的用于O2和NH3的蚀......
418、在原位干涉量测终点侦测及非干涉量测终点监控中执行氮化物垫片蚀刻工艺的方法与设备
419、消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法
420、控制回蚀刻截面轮廊的方法和装置
421、蚀刻方法、有多个凹部的基板、微透镜基板、透射屏和背面投影仪
422、蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法
423、复合金属材料及其制造方法、蚀刻的金属材料及其制造方法、以及电解电容器
424、蚀刻方法
425、机动车玻璃蚀刻剂及其应用方法
426、蚀刻液回收系统与方法
427、用于蚀刻通孔的改进方法
428、除去光刻胶和蚀刻残渣的方法
429、蚀刻液及应用该蚀刻液选择性去除阻障层的导电凸块制造方法
430、串联蚀刻处理室电浆制程系统
431、多室基材处理系统中执行的整合原位蚀刻制程
432、等离子体蚀刻方法
433、用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
434、生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂
435、干蚀刻装置及干蚀刻方法
436、被处理体的蚀刻方法
437、金属膜的蚀刻液组合物
438、蚀刻掩模
439、高尔夫球杆头表面蚀刻方法
440、去除光刻胶和蚀刻残留物的方法
441、用于微蚀刻玻璃基板的熔体的pH调整
442、化学蚀刻制备2×2塑料光纤耦合器的方法及装置
443、使用具电化学蚀刻停止的电化学蚀刻制造瓶沟电容器方法
444、蚀刻方法
445、蚀刻系统及其纯水添加装置
446、清除蚀刻残留物的组合物及其应用
447、具有改进型抗蚀剂及/或蚀刻轮廓特征的介电膜用蚀刻方法
448、高温下各向异性地蚀刻多层结构
449、干式蚀刻方法、干式蚀刻气体及全氟-2-戊炔的制备方法
450、玻璃板表面蚀刻方法和装置、及玻璃板和平面显示器
451、蚀刻组合物
452、使用交替淀积和蚀刻以及脉冲等离子体对高纵横比SOI结构进行没有切口的蚀刻
453、蚀刻用组合物及蚀刻处理方法
454、凹槽蚀刻过程的控制方法
455、可聚合组合物,聚合物,抗蚀剂及蚀刻方法
456、具双频偏压源及单频等离子体产生源的蚀刻腔室
457、使用离散气体切换方法的高纵横比/深度蚀刻中的侧壁平滑
458、用于钛氧化物表面的蚀刻糊
459、水含量降低的酸蚀刻混合物
460、用于硅表面和层的蚀刻糊
461、蚀刻深度受到控制的介电膜
462、室清洁或蚀刻气体再生并循环利用的方法
463、使用聚合物蚀刻掩模在灯丝中形成离散微孔隙的方法及设备
464、蚀刻方法
465、用依赖晶体取向的各向异性蚀刻在硅<110>片上进行薄膜体声谐振器的制作
466、用于激光蚀刻分层材料的物品和方法
467、适合用来除去光刻胶、光刻胶副产物和蚀刻残余物的组合物及其应用
468、等离子体蚀刻方法
469、蚀刻方法、程序、记录介质和等离子体处理装置
470、具有双蚀刻停止衬里和重新形成的硅化物层的器件及相关方法
471、具有双蚀刻停止衬里和保护层的器件及相关方法
472、化学蚀刻法制作双面接入的单面挠性印制板
473、蚀刻液和补给液以及使用它们的导体图案的形成方法
474、蚀刻构图的硅氧烷层的方法
475、蚀刻剂组合物和薄膜晶体管阵列板的制造方法
476、用于后蚀刻残余物的胶束技术
477、用于除去蚀刻残留物的组合物基材及其应用
478、蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物
479、适用于形成集成电路互连和器件的金属-金属氧化物蚀刻阻滞/电子迁移屏蔽的方法
480、蚀刻半导体基底的方法
481、一种光固化抗蚀刻油墨
482、用于缓冲酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂
483、用于含水酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂
484、蚀刻金属氧化物半导体栅极构造的氮氧化方法
485、湿蚀刻设备
486、银合金蚀刻液
487、控制蚀刻深度的装置和方法
488、反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻/沉积制程
489、干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法
490、钛或钛合金用蚀刻液
491、蚀刻方法
492、用于去除灰化和未灰化铝蚀刻后残留物的超临界二氧化碳化学制剂
493、在薄膜的等离子体蚀刻过程中探测终止点的方法和装置
494、含硅介电材料的蚀刻方法
495、复蚀刻直接成形刀模的方法及其装置
496、蚀刻反应槽
497、用于在等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响的设备和方法
498、采用整合测量以增进介电质蚀刻效率的方法和设备
499、酸性蚀刻液再生方法和酸性蚀刻液再生装置
500、蚀刻系统及其蚀刻液处理方法
501、用于包括反射电极的叠合膜的蚀刻组合物以及用于形成叠层布线结构的方法
502、硅蚀刻和腔室清洁工艺的集成
503、干蚀刻后处理方法
504、改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法
505、增强等离子体蚀刻性能的方法
506、用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用
507、干式蚀刻方法、磁记录介质的制造方法和磁记录介质
508、半导体蚀刻装置
509、挠性印刷电路绝缘薄膜的化学蚀刻法及其蚀刻液
510、提高半导体沟渠蚀刻均匀性的方法
511、双面蚀刻晶片的方法
512、蚀刻具不同深宽比的孔洞的方法
513、用于对有机类材料膜进行等离子体蚀刻的方法和装置
514、蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置
515、沟道蚀刻薄膜晶体管
516、干蚀刻装置以及安装于其上的气孔装置
517、金属光蚀刻制品及该制品的制造方法
518、有时分多重蚀刻工艺中的终点检测
519、保护层的选择性蚀刻
520、包括两个氮化硅蚀刻步骤的填充隔离槽的双后撤方法
521、蚀刻溶液及利用包括该溶液的过程形成半导体器件的方法
522、用于铝及铝合金的化学蚀刻溶液
523、用于钛及钛合金的化学蚀刻溶液
524、用于钼的化学蚀刻溶液
525、半透射半反射型电极基板的制造方法、反射型电极基板及其制造方法以及在该反射型电极基板的制造方法中使用的......
526、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
527、干蚀刻方法及信息记录媒体
528、用于互连结构的金属蚀刻方法和通过这种方法获得的金属互连结构
529、铟氧化物层的蚀刻剂组合物及使用它的蚀刻方法
530、一种亚波长光刻条件下可变偏差蚀刻模拟方法
531、蚀刻方法及蚀刻装置
532、门板表层,蚀刻板以形成门板表层内的木质纹理图案的方法以及该方法形成的蚀刻板
533、液相蚀刻方法及液相蚀刻装置
534、用于以提高的效率进行二氟化氙蚀刻的方法及系统
535、电动剪的蚀刻刀片
536、钛合金的化学蚀刻制备工艺及该工艺所用蚀刻药剂
537、深沟渠的制备方法及其蚀刻混合液
538、用于等离子体蚀刻机器的气体分布电极
539、薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物
540、薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物
541、蚀刻制造方法以及图案化制造方法
542、一种晶圆精准蚀刻的方法
543、利用印刷板蚀刻废液制备氯化亚铜的方法
544、用于蚀刻铜表面的溶液和在铜表面上沉积金属的方法
545、用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法
546、薄膜蚀刻方法以及使用该方法制造液晶显示器件的方法
547、蚀刻方法与应用此蚀刻方法之薄膜晶体管的制造方法
548、在等离子体加工系统中蚀刻时减少光致抗蚀剂变形的方法
549、便携式XeF2蚀刻室及其使用方法
550、蚀刻溶液和除去低-K电介质层的方法
551、去除蚀刻残余的聚合物的方法
552、通过激光蚀刻增加压榨织物空隙容积的方法
553、时分复用(TDM)蚀刻工艺中的过程控制方法及设备
554、金属板的电解蚀刻装置
555、聚焦环、等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法
556、具有高的湿蚀刻速率的硅氧烷树脂型抗反射涂料组合物
557、优良的碱蚀刻加工性及冲压加工性的聚酰亚胺膜
558、喷淋型铝合金化学蚀刻液
559、使用氩稀释的高压F2等离子体的高速蚀刻
560、用于蚀刻结构的填充和平坦化的材料和方法
561、反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法
562、等离子体蚀刻方法
563、在蚀刻浅沟槽之前预锥形硅或硅-锗的工艺
564、等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置
565、钝化金属蚀刻结构
566、用于物体处理、尤其是印刷电路板电蚀刻的装置
567、一种酸性蚀刻废液的高效环保处理方法
568、用选择性金属蚀刻提高声共振器的性能
569、高SMSR单向蚀刻激光器和低背反射光子器件
570、蚀刻方法及使用该方法的接触孔的形成方法
571、湿蚀刻设备及湿蚀刻方法
572、减少微尘产生的等离子蚀刻方法
573、蚀刻剂和蚀刻方法
574、通过对半导体基板进行等离子蚀刻来制作掩模的装置
575、再生用于蚀刻或酸蚀铜或铜合金的含铁蚀刻溶液的方法和进行所述方法的装置
576、用于利用气体化学剂周期调制的等离子体蚀刻的方法
577、半导体工艺中后蚀刻残留物的去除
578、钛、铝金属层叠膜蚀刻液组合物
579、从酸性蚀刻液中回收盐酸和硫酸铜的方法
580、液晶显示器的配向膜的制造方法和在其中使用的蚀刻设备
581、以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法
582、圆板状部件的蚀刻方法及装置
583、改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法
584、蚀刻通风筛
585、蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法
586、微移动器件及使用湿蚀刻的制造方法
587、蚀刻监测装置及方法
588、含钛层用蚀刻液以及含肽层的蚀刻方法
589、用于制造硫族化合物存储元件的蚀刻方法
590、蚀刻作业管理系统及方法及使用此方法所制作的电子装置
591、蚀刻方法和蚀刻装置
592、具有部分蚀刻端口的隔板
593、一种烟草蚀刻病毒蛋白酶的基因工程生产方法及其应用
594、氯化铜蚀刻废液的精制方法和精制氯化铜溶液
595、铜蚀刻剂的再生和硫酸铜的回收
596、增加沟槽表面区域的选择性蚀刻
597、在半导体元件中蚀刻介电材料的方法
598、湿蚀刻后的清洗方法及应用其的薄膜晶体管形成方法
599、一种铜蚀刻液及其循环使用方法
600、在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法
601、利用单一蚀刻步骤形成硅尖角以及形成浮置栅极的方法
602、干蚀刻方法
603、一种汽车玻璃蚀刻胶
604、蚀刻残渣除去方法以及使用它的半导体器件的制造方法
605、用于形成蚀刻停止层的组合物
606、用于切割非晶态金属形状的选择性蚀刻工艺以及通过该工艺而制成的元件
607、化学蚀刻辅助电火花加工头
608、印刷线路板蚀刻废液微波循环处理工艺
609、一种去除晶片表面上蚀刻残留物的方法
610、使用各向同性蚀刻工艺的肖特基势垒MOSFET制造方法
611、金属选择性蚀刻液
612、蚀刻硅的改进方法
613、可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法
614、采用不同频率的RF功率调制的高纵横比蚀刻
615、用于生产铜饲料添加剂的印制电路板蚀刻废液的除砷方法
616、蚀刻组合物
617、含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
618、将纳米蚀刻作为构图手段来制造导电图案的方法
619、蚀刻量测量装置、蚀刻装置及蚀刻量测量方法
620、蚀刻剂及使用蚀刻剂制造布线及薄膜晶体管基板的方法
621、自由基产生方法、蚀刻方法以及用于这些方法的设备
622、形成抗蚀刻保护层的方法
623、应用腐蚀液的超声波辅助蚀刻
624、用于确定与半导体工艺步骤有关的蚀刻偏置的测试装置和方法
625、蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法
626、等离子体蚀刻方法、控制程序、计算机存储介质和装置
627、蚀刻方法及接触窗开口的形成方法
628、形成接触窗开口的蚀刻方法
629、具有修正的蚀刻
630、等离子蚀刻法
631、用于半添加法印刷布线基板制造的蚀刻除去方法及蚀刻液
632、离子束蚀刻方法和离子束蚀刻装置
633、氯化物体系线路版废蚀刻液中铜的提取方法
634、蚀刻剂以及使用该蚀刻剂制造液晶显示器的方法
635、硅的各向异性湿式蚀刻
636、制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法
637、可降低蚀刻损害的图像传感器制造方法
638、用于蚀刻终点检测的方法和设备
639、用于设置具有自适应等离子体源的等离子体室的方法、使用该等离子体室的等离子体蚀刻方法和用于自适应等离子......
640、蚀刻液、蚀刻方法以及印刷电路板
641、喷孔片的蚀刻及微影制程
642、从半导体基片上去除光致抗蚀剂、蚀刻和/或灰化残留物、或污染物的方法
643、蚀刻方法及蚀刻装置
644、用于衬底的各向异性蚀刻的非晶蚀刻停止
645、利于高产量并包括蚀刻终止层和/或应力膜的置换栅流程
646、在沟槽蚀刻中降低线条边缘粗糙度
647、蚀刻设备与蚀刻工艺
648、用线路板蚀刻废液生产氧氯化铜的方法
649、一种蚀刻废液或低含铜废水的提铜方法
650、等离子蚀刻设备
651、结合动态弯液面的无应力蚀刻处理
652、等离子蚀刻设备
653、不需要poly2的用于掩埋条形窗形成的凹陷环状蚀刻
654、微电子衬底的湿法蚀刻处理用旋涂保护涂层
655、生产工具中实现可重复蚀刻后临界尺寸的方法
656、电子线路板履膜铜的蚀刻方法
657、氯化铵蚀刻液的充氧装置
658、蚀刻剂组合物和用其构图导电层和制造平板显示器的方法
659、用于制造能够激光蚀刻的印刷基底的方法
660、在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
661、用于减少等离子体反应器蚀刻速率漂移的温控热边缘环组件
662、旋转蚀刻的工序管理方法及旋转蚀刻装置
663、一种PCB酸性蚀刻废液提铜联产改性聚铁的方法
664、一种用于蚀刻/雕刻的无锰变形镁合金板及其制作方法
665、蚀刻带及使用该蚀刻带制造液晶显示器的阵列基板的方法
666、电解电容器用铝箔和形成蚀坑的蚀刻法
667、一种蚀刻高介电常数材料的方法
668、用于电光显示器中的透明电极的具有改进的蚀刻性能的双层透明导体方案
669、减少掩模缺陷的蚀刻工艺
670、蚀刻方法、金属膜结构体的制造方法以及蚀刻结构体
671、蚀刻的聚碳酸酯膜
672、缩小特征尺寸的方法和半导体蚀刻方法
673、具有导电特性的部分蚀刻的电介质膜
674、用线路板蚀刻废液生产氯化铵的方法
675、间隙壁的制造方法及其蚀刻后的清洗方法与半导体元件
676、清洁溶液和蚀刻剂及其使用方法
677、具有等离子体源线圈的等离子体室及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法
678、用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
679、通过适于光掩膜制造的碳硬掩膜等离子体蚀刻铬层的方法
680、通过对结构的区域进行辐射以便改变晶态的激光蚀刻该结构的方法
681、蚀刻方法和蚀刻液
682、在微机电装置的制造中减轻蚀刻电荷的破坏
683、发光器件基片的蚀刻
684、双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
685、用于蚀刻玻璃衬底的设备
686、干蚀刻方法
687、蚀刻非传导基材表面的方法
688、评价等离子蚀刻工艺能力的方法
689、形成蚀刻掩模的方法
690、干式蚀刻工艺后的清洗工艺
691、晶片湿法蚀刻装置及其湿法蚀刻方法
692、蚀刻方法及开口的形成方法
693、用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序
694、耐久性优异的等离子体蚀刻用硅电极板
695、蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法
696、同时电解再生酸性蚀刻液和微蚀液的方法
697、蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺
698、等离子体蚀刻方法
699、半导体工艺以及去除芯片上凝结的蚀刻气体的方法
700、移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
701、在磁阻传感器中用于改进交换偏置结构的斜角蚀刻的衬层
702、用于蚀刻孔穴的灰浆清理的装置和方法
703、显示面板的金属层的蚀刻方法
704、透明导电膜蚀刻组合物
705、同时控制孔径不同开口的孔径差的方法与蚀刻工艺
706、等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法
707、铜锡电镀污泥与线路板蚀刻液联合处理方法
708、蚀刻速率控制
709、蚀刻方法和系统
710、减少时分复用蚀刻工艺中纵横比相关蚀刻的方法和装置
711、改进的蚀刻方法
712、在集成电路的制造中清洁背部蚀刻的方法
713、等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法
714、使用金属铝回收及再利用废弃含氨碱性铜蚀刻剂的方法
715、双层抗蚀剂等离子体蚀刻方法
716、碳化硅单晶及其蚀刻方法
717、可电解回收的蚀刻溶液
718、用于制造平板显示装置的蚀刻设备及使用其的制造方法
719、等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质
720、干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法
721、电容器用铝电极箔的制造方法以及蚀刻用铝箔
722、利用蚀刻废液制备饲料级蛋氨酸铜螯合物的方法
723、在不锈钢管表面蚀刻出彩色图案的方法
724、等离子体处理系统中优化基片蚀刻的方法
725、利用V-I探针识别的等离子体蚀刻终点检测方法
726、制作深沟渠电容和蚀刻深沟渠开口的方法
727、蚀刻装置及蚀刻方法
728、直写纳米蚀刻的方法
729、一种印刷线路板酸性蚀刻废液处理系统及方法
730、铝类金属膜及钼类金属膜的层叠膜用蚀刻液
731、自动化蚀刻控制系统、装置与方法
732、各向异性湿蚀刻的器件制造方法及对应器件
733、PDP滤光器以及使用完全蚀刻的电磁干扰膜制造该滤光器的方法
734、蚀刻与清洗衬底的系统和方法
735、将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法
736、提高蚀刻工艺中线路精度的方法
737、光蚀刻用冲洗液和抗蚀图案形成方法
738、光蚀刻用显影液组合物与抗蚀图案的形成方法
739、用光蚀刻制成的EDM电极
740、用于等离子体注入的蚀刻和沉积控制
741、选择性蚀刻方法
742、干式蚀刻气体及干式蚀刻方法
743、防止蚀刻剂侵蚀铝基板的电路板制作过程
744、半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液
745、干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
746、干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
747、用于微结构蚀刻的改进方法和设备
748、通过形成具有不同改质的本身应力的蚀刻阻碍层以于不同沟道区域中产生不同机械应力的方法
749、铜蚀刻液再生循环方法及装置
750、除去光致抗蚀剂和后蚀刻残留物的气体混合物及其应用
751、耐蚀刻晶片处理装置和其制造方法
752、低K电介质蚀刻
753、等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质
754、形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的蚀刻方法
755、等离子体蚀刻的装置与方法
756、等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
757、活性能量射线粘合力消失型压敏粘合剂、涂布其的活性能量射线粘合力消失型粘合片和蚀刻化金属体的制造方法
758、从蚀刻晶片脱模光致抗蚀剂的方法
759、蚀刻液组合物
760、从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法
761、等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质
762、等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质
763、在介电层中蚀刻开口的方法
764、蚀刻导电层的装置以及蚀刻方法
765、抗蚀刻加热器及其组件
766、一种在制造光掩模时蚀刻钼层的方法
767、用于石英光掩模等离子体蚀刻的方法
768、等离子体蚀刻方法、蚀刻装置、存储介质
769、改善等离子体蚀刻均匀性的方法和设备
770、酸性蚀刻废液中回收草酸铜和酸液的方法
771、蚀刻液组合物、研磨用组合物及其制造方法以及研磨方法
772、彩色滤光片的蚀刻方法与其制作方法
773、面板蚀刻制程的方法及其装置
774、面板蚀刻制程的方法及其装置
775、面板蚀刻制程的方法及其装置
776、形成无蚀刻停止层的双镶嵌结构的方法
777、在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法
778、等离子体蚀刻方法
779、用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅(SOI)晶片的方法
780、平板显示器玻璃蚀刻液
781、利用保护性罩幕的光罩等离子体蚀刻法
782、绝缘基材金属化的方法,其中粗糙化和蚀刻过程由量测光泽而加以控制
783、移除残余物的后蚀刻处理
784、具有均匀性控制的蚀刻
785、包括具有氢流速渐变的光刻胶等离子体老化步骤的蚀刻方法
786、基板蚀刻设备和方法
787、形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的蚀刻方法
788、采用聚合蚀刻气体的等离子体蚀刻工艺
789、用于去除蚀刻后残留物的水溶液
790、蚀刻方法和蚀刻设备
791、薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物
792、中国丝绸蚀刻方法
793、制作栅极与蚀刻导电层的方法
794、光蚀刻用清洗液及抗蚀图案的形成方法
795、碱性蚀刻液及其生产方法
796、用于蚀刻的牺牲基底
797、用来在蚀刻工序期间淀积保护层的方法及设备
798、光蚀刻用清洗液及使用其的清洗方法
799、水晶玻璃镶嵌金属蚀刻画
800、垂直式薄板蚀刻机的输送装置
801、蚀刻式喷墨打印机滚轴
802、镂空蚀刻揭启检验模压全息防伪标识
803、气体钢瓶蚀刻机
804、一种金属蚀刻地图
805、蚀刻系统及其纯水添加装置
806、蚀刻装饰铜盘
807、水晶霓虹蚀刻透光彩画
808、改善蚀刻中止层与金属层间的粘着性的结构
809、蚀刻反应槽
810、一种金属蚀刻影像地图
811、复蚀刻成形刀模
812、使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件
813、晶圆蚀刻设备的晶圆承载装置
814、湿蚀刻设备
815、蚀刻法机械式滤波器
816、一种金属标牌蚀刻机
817、具有蚀刻标示的纸工艺手工压模
818、氯化铜酸性蚀刻液的再生及铜回收装置
819、蚀刻机
820、蚀刻导光板
821、打印蚀刻版纸
822、改进的半导体蚀刻机台
823、蚀刻机
824、电路板的蚀刻装置
825、一种氯化物体系线路版废蚀刻液中提取铜的装置


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